你是否遇到以下問題？

多層PCB測試時發(fā)現(xiàn)不應(yīng)連通的內(nèi)層線路之間出現(xiàn)短路，導致整板報廢？
在高速、高密度的工控處理器板或醫(yī)療影像板中，內(nèi)層短路問題排查困難，損失巨大？

解決方案：聚焦設(shè)計裕量與蝕刻精度，筑牢內(nèi)層絕緣屏障

內(nèi)層短路是多層PCB最具破壞性的缺陷之一，通常意味著核心信號層或電源地層之間的絕緣失效。其根源主要可歸結(jié)為兩點：設(shè)計上的層間介質(zhì)間距不足與制造中蝕刻工藝控制失準導致線路間殘留銅或銅絲（俗稱“銅須”）。

1. 問題根源雙維度分析

設(shè)計端：層間間距（介質(zhì)厚度）不足：在追求輕薄化的同時，若未充分考慮壓合后的介質(zhì)層厚度、材料的介電強度以及工作電壓，可能導致電氣間隙不夠。特別是當內(nèi)層銅厚較大（如2oz）時，其銅箔的粗糙度會“吃掉”部分介質(zhì)，實際絕緣距離更小。

制造端：蝕刻工藝控制不佳：

側(cè)蝕過度：蝕刻過程中，藥液不僅垂直向下腐蝕，也會橫向侵蝕，導致線寬變細、線距處的銅被過度咬蝕變薄，但若控制不當，也可能在局部形成殘留的薄銅橋。

蝕刻不凈：由于抗蝕劑（干膜或濕膜）邊緣解析度不足、曝光顯影不良，或蝕刻藥液能力下降、噴淋壓力不均，導致線路圖形間本該被去除的銅未能徹底清除，形成微短路。

銅箔質(zhì)量問題：基材銅箔若存在針孔、劃傷或雜質(zhì)，也可能成為短路的隱患點。

2. 系統(tǒng)性控制與優(yōu)化策略

設(shè)計階段執(zhí)行嚴格的DFM/DFA規(guī)則：與制造商緊密合作，根據(jù)其工藝能力確定最小線寬/線距，并為內(nèi)層電源/地平面設(shè)置更大的安全間距。對于高壓部分，必須依據(jù)安規(guī)標準計算足夠的爬電距離與電氣間隙。

優(yōu)化圖形轉(zhuǎn)移工藝：使用高解析度的激光直接成像（LDI）和高對比度的干膜，確保線路圖形邊緣清晰、陡直，從源頭上減少蝕刻殘留的可能。

精細化管理蝕刻工序：

定期進行蝕刻因子測試，監(jiān)控側(cè)蝕量，將其控制在穩(wěn)定、合理的范圍內(nèi)。

維護蝕刻液的化學平衡，通過自動補加系統(tǒng)保持其最佳的銅離子濃度和蝕刻速率。

確保蝕刻設(shè)備的噴淋系統(tǒng)暢通無阻、壓力均勻，以實現(xiàn)全板面均勻的蝕刻效果。

強化內(nèi)層AOI檢測：在蝕刻后、層壓前，必須使用自動光學檢測設(shè)備對內(nèi)層進行100%掃描。現(xiàn)代AOI能夠有效識別出微米級的銅渣、缺口、短路等缺陷，這是攔截問題流入下一工序的關(guān)鍵防火墻。

3. 高密度高可靠性應(yīng)用的挑戰(zhàn)
對于承載高速差分信號（如PCIe, Ethernet）的工控主板或高精度ADC/DAC所在的醫(yī)療板卡，內(nèi)層短路不僅引起功能失效，更可能因阻抗突變導致信號完整性問題。這類板卡往往采用高TG材料、混壓結(jié)構(gòu)，其內(nèi)層對位與蝕刻控制要求更高。需要制造商具備應(yīng)對特殊材料的工藝數(shù)據(jù)庫和更精密的檢測手段。

4. 一體化制造的優(yōu)勢展現(xiàn)
內(nèi)層品質(zhì)是PCB的“里子”，其管控水平直接體現(xiàn)制造商的核心能力。在深圳捷創(chuàng)電子，得益于從線路設(shè)計、內(nèi)層圖形化到壓合的全流程自主生產(chǎn)，其工藝工程師能夠在早期介入，提供基于實測數(shù)據(jù)的層疊設(shè)計與間距建議。其內(nèi)層生產(chǎn)線配置了高精度的LDI與AOI，并建立了基于實時數(shù)據(jù)的蝕刻參數(shù)調(diào)整機制，從而系統(tǒng)性地將內(nèi)層短路缺陷率降至極低水平，保障了客戶復雜、高價值多層板的內(nèi)部互聯(lián)絕對可靠，滿足工控與醫(yī)療領(lǐng)域?qū)α闳毕莸臉O致追求。